東北大学
学際科学フロンティア研究所

公募研究

海外研究集会等発表支援 報告

木野 久志(新領域創成研究部 助教)

2016 Symposia on VLIS Technology and IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016
開催地/アメリカ・ホノルル

期間/2016.6.11-6.18

学際科学フロンティア研究所の若手研究者海外研究集会等発表支援プログラムに採択して頂き、2016年6月12日~6月16日にハワイ・ホノルルで開催されたVLSI Technology SymposiumのサテライトワークショップであるSilicon Nanoelectronics Workshop (SNW)に参加し、最近の研究成果について発表を行ってきました。VLSI Symposiumは1981年の第一回開催当時、日本と米国の間で半導体貿易に関する係争(日米半導体貿易摩擦)が悪化しつつある時期に日米の技術交流を通じて貿易摩擦を緩和しようとの目的で、日本と米国の半導体コミュニティが協力して立ち上げられた国際会議です。本会議は集積回路に関する最先端の成果が毎年報告される最高峰の国際会議であり、半導体分野では一般に別々に議論されるプロセス・デバイス技術と回路技術を両面から議論できる場として高い価値を誇っており、例年おおよそ1000名の方々が参加します。一方、SNWは近年重要性が増している革新的なシリコンのナノテクノロジーと本会議であるVLSIシンポジウムをつなぐ会議として開催されています。

私は"Highly Sensitive Pressure Sensor with Silicon-On-Nothing (SON) MOSFET for Sensor Integrated Heterogeneous System"というタイトルでポスター発表を行いました。スマートフォンをはじめ、最近は様々な機器に実装されている圧力センサに関する発表で、電界効果を用いることで従来よりも2倍以上の感度を有する新しい圧力センサを発表しました。参加者の多くは電気・電子工学の専門家ということもあり、機械工学の領域を交えた本発表は多くの関心を集めました。

また、会議では様々なシリコンナノテクノロジーをはじめ、現在の情報化社会を支える半導体集積回路に関する先進的な発表が多くなされていました。半導体分野で著名な研究者をはじめ、様々な方々と活発な議論をするこができ、今後の研究を進める上で非常に有意義な会となりました。

このような貴重な機会を与えて頂いた若手研究者海外研究集会等発表支援プログラムには心より感謝申し上げます。

  • 左:会場のヒルトン・ハワイアン・ビレッジ

  • 右:休憩中の会場の様子

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