東北大学
学際科学フロンティア研究所

公募研究

海外研究集会等発表支援 報告

今本 拓也(遠藤グループ・博士課程後期2年)

IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
開催地/アメリカ・カリフォルニア

期間/2013.10.6-12

2013年10月6日から12日までアメリカのモントレーで開催された、IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference(S3S2013)に参加し、研究成果を発表して参りました。S3Sは、“The IEEE International SOI Conference”と“The IEEE Subthreshold Microelectronics Conference”の2つの学会に、3次元積層技術を加えた学会で、半導体デバイス、回路、システムに渡る様々な研究者達が数多く参加し、活発な議論を広げる国際会議です。

現在、ワーキングメモリとして主に使用されている、1キャパシタと1トランジスタ(1C-1Tr)で構成されるDRAMでは、データ保持時間を維持するために非常に細長いキャパシタ構造が要求され、微細化および高集積化が困難になってきています。これらの問題を解決するために、キャパシタレス DRAM(1Tr-DRAM)が注目されています。従来の1C-1Tr DRAMではデータをキャパシタに保存してきたのに対して、1Tr DRAMではトランジスタのボディ部分に保存するため、従来課題であった微細キャパシタが不要になります。1Tr DRAMの更なる高性能化と大容量化を実現するために、私は3次元縦型構造の1Tr DRAMに注目して研究を行っています。本学会で私は、メモリ動作中の発熱問題に関する研究結果を発表し、3次元立体構造デバイスに関する議論を行うことで、メモリ分野を含んだ、今後の3次元縦型構造デバイスの高性能化にとっての有益な知見を得られました。今後、さらに研究を発展させていくことで、高性能かつ低コストな3次元縦型構造ワーキングメモリの研究を通して、豊かな情報化社会への貢献を目指していきます。

このような機会を与えていただいた国際高等研究教育機構学際科学フロンティア研究所若手研究者海外研究集会等発表支援プログラムに感謝申し上げます。

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